Analiz ki dire a Chip ak Emballage fayit
A pou limyè ak -teknoloji nan dis syèk pase te fè pwogrè siyifikativ, tankou yon reconnu nouvo wè moun ki fè limyè vèt sous, sous limyè a ki te parèt nan limyè tradisyonèl a ak lòt sistèm yo, men te gen anpil toujou sous limyè a te fè sa ki pa rezoud pwoblèm.
Ki gen konsistans pòv, pri anwo nan syèl la ak pòv asirans ke pi enpòtan ki se estabilite ak asirans ke kesyon sa yo. Malgre ke aktyèl projte te DIRIJE limyè sous lavi ki plis pase 50,000 zè dtan. Men, lavi sa a an relasyon a teyorik vivan an, limyè sous nan 25℃sèvis lavi. Reèl itilize pwosè a, pral tonbe sou tanperati anwo nan syèl la, imidite anwo nan syèl la ak lòt di environnements, rale défauts sous limyè a, akselere moun ki aje de materyèl, a klere sous la byen vit te tonbe.
1. Fmòd ailure a ki asèptab fizik
A lanp perles se yon sistèm ki konpoze de miltip modules. Fayit nan chak pyès pwal koze a lanp perles fayit. De la sortie limyè jeton pou perles lanp a, ki mòd fayit gen apepwè 30 types, jan montre nan tab 1, a lanp perles fayit mòd tab la montre. Isit la a nan konpozisyon èstrikti pran yo an de pati nan jeton a ak eksteryè emballage. Lè sa a, a ki dire mòd ak fizik ki asèptab tou pran yo an fayit jeton ak emballage fayit pou diskite tou de.
2. tab la 1 a lanp perles fayit mòd
Faktè ki dire a jeton genyen ladan yo: elèktrisite statique, kouran ak tanperati.
3. électrostatique matyè ka lage kounye a vòltaj sa tout moun anwo nan syèl la, pou jeton a a pote gwo danje, EDD a jeton fayit pran yo an fayit fonn yo ak tèt di ki dire modes de.Vòltaj anwo nan syèl la / kouran ki koze pa statique elèktrisite lakòz jeton a la pou Court-Circuit nan yon mòd fayit difisil. Rezon jeton a a k short-circuited se vòltaj anwo nan syèl la, ki lakòz lektwolit pou kraze, ni twò wo a kouran dansite se ti kouran chemen nan jeton a.
Électrostatique dechaje yon ti jan pi ba vòltaj / kouran ka koze fonn ki dire jeton a la. Ezib fayit abityèlman te akonpaye pa yon bès nan a jeton dèyè fuites kouran, ki ka fè akòz lanvè aktyèl anwo nan syèl la sa ki te lakòz pa anjeneral yon pati nan chemen aktyèl la fuite. Konpare li a la vètikal a jeton, menm jan sou nivo a jeton domaj. Paske nivo lektwòd jeton a sou menm bò a jeton, vòltaj anwo nan syèl la menm kote a te pwodwi pa statique elèktrisite vin pi fasil pou kout jeton sou jeton an, te fè fayit jeton a.
Kouran anwo nan syèl la va pote echèk jeton a: nan yon men yon gwo kouran pwal pote yon tanperati junction relativman anwo nan syèl la, lòt men l ', ak gwo pwisans elektwonik nan junction PN a ap fè Mg-H kosyon Ga-N bon repo a
Eklate sou kosyon Mg-H a ap pi lwen aktivite ekonomik a p i-wèbsayt], moun... Lè sa a jeton a gen yon sèn nan ogmantasyon ptik pouvwa a moun ki aje, kosyon Ga-N a pral fòme yon poste Azòt. La poste Azòt ogmante la probabilité de nonradiative recombinaison, pandan li tap eksplike atténuation ptik pouvwa sistèm. Òdone fòmasyon offres Azòt pou reyisi rive nan yon balans lè yon pwosè trè long, ki se pi gwo rezon pou moun ki pa fasil aje jeton a.
Menm lè a, kouran anwo nan syèl la ap pote aktyèl anndan jeton a la te gwoupe yo, a jeton défauts a pi gwo dansite, pi serye nan fenomèn ki bouche kouran. Dansite kouran mouri ka koze fenomèn ki an metal electromigration, fè fayit jeton a la. Anplis, InGaN limyè - émet diodes nan wòl double kouran ak tanperati a efektif le p i wèbsayt] pwal parèt trè pa asire konplèks Mg-H2.
Efè tanperati sou jeton a la se kesyon sa te poze pou redwi entèn quantum efikasite ak a jeton lavi pi kout. Sa se paske efikasite quantum entènal la se fonksyon tanperati a, la moute pi wo a pi ba a quantum efikasite, pandan ke tanperati a ki moun ki aje de materyèl, tanperati a ap fè kontak ohmic a puce entèn pèfòmans materyèl eklen. An plis, tanperati a junction anwo nan syèl la fè distribisyon tanperati a nan jeton a pa nivo, sa fè gwo jefò, diminye, entèn quantum efikasite yo ak jeton asirans ke. Tèmik tèt chaje pou yon sètèn mezi, tou ka koze a jeton pete.
4. A emballage fayit koze pa pi gwo rezon ki te egzije genyen ladan yo: tanperati, imidite ak vòltaj.
A pwezan, plis bon jan ak sou etidye nan enpak tanperati sou sekite a emballage. Tanperati gwo zafè a modile ak sistèm ki dire paske tout Aspè sa yo:
(1) tanperati anwo nan syèl la pral ralanti dégradation materyèl emballage, pèfòmans dégradation,
(2) junction tanperati sou pèfòmans a ap gen yon gwo enpak. Junction mouri tanperati a nwasi nwa ouch phosphor la, t' ap fè limyè a se diminye oubyen qui fayit grav. An plis, paske la réfraction endèks ak koefisyan tèmik ekspansyon ant gel silice a ak matyè phosphor yo pa matche, tanperati a anwo nan syèl la ap vin pi piti a konvèsyon ki pi efikas selon phosphor a, ak pi wo a pwopòsyon kantite phosphor a au, la pi mal la efikasite lumineux diminue,
(3) pou tèt la correspondance tèmik conductivité ant encapsulation materyèl, dégradé tanperati a ak distribisyon tanperati a pa nivo, zidòl yo ka fè te pwodwi materyèl andedan oubyen delaminated nan entèfas ant materyèl. Zidòl sa yo ak UN ap koze a bès nan lumineux efikasite, puce, phosphor wèbsayt] ant UN a, sa kapab redui a ki pi efikas selon limyè fè ekstraksyon, phosphor wèbsayt] ak Terre silice gel ant pi wo nivo fè ekstraksyon efikasite kapab redwi pa plis ke 20% a UN ant gel silice a ak substrate a menm ka mennen a bris de an lò fil fè, sa ki dire grav.
Nan etid la sperimantal anviwònman imidite anwo nan syèl la, te twouve ke midite kont atakan pa sèlman ap fè la a lumineux efikasite diminye, ak ka mennen a grav ki dire a. Li pa te jwenn ke midite jwe yon wòl enpòtan nan òdone fòmasyon stratifié défauts pa tanperati a anwo nan syèl la ak imidite anwo nan syèl la asirans ke 85℃/RH 85%. Rezilta stratification sa ki te lakòz pèdi valè luminous efficiency ki a ak diferans irrégularité nan diferan bato yo diferan fayit modes.
Pwodwi cho yo:mens kafe sèk a,Panneaux UL 48W,limyè a pano imperméable,Limyè lari a 120W,1.5 M lanp lineyè,Pano imperméable 36W,mens kafe sèk a
